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2019-05-22

顛覆傳統0與1的世界!下世代光控多位元記憶材料研究刊登國際期刊

科技部近年極為重視對年輕學者的補助,如規劃推動愛因斯坦計畫,以鼓勵年輕學者大膽嘗試創新構想,產出突破性的成果。國立成功大學物理系楊展其助理教授(愛因斯坦計畫主持人)與陳宜君教授所帶領的研究團隊,在新世代記憶體材料---鐵酸鉍(BiFeO3)的操控方式上,有重大突破。鐵酸鉍(BiFeO3)是在一個存儲單元中可同時具有高達八種邏輯狀態(0-7)的多位元記憶體材料,比起傳統只能存儲0與1的單位元記憶體,可大幅地提升儲存資訊的密度。研究團隊成功地開發新穎光學技術,可進行非接觸性地特性控制,應用這類材料與相關光控技術,現有記憶體的體積可以被大幅地縮小,耗能也將近一步降低。應用於人工智能發展與雲端運算,更可減少讀取資料的延遲時間,大幅加速演算速度,可望在未來微縮化多功能奈米元件的趨勢中,帶來革命性的突破。相關研究成果 已於5月6日刊載於國際頂尖期刊「自然材料」(Nature Materials)。

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